US1BHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | US1BHR3G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 50 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 100 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | US1B |
US1BHR3G Einzelheiten PDF [English] | US1BHR3G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
FAIRCHI DO-214A
Interface
DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
DIODE GEN PURP 150V 1A SMAE
V SMA(W)
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123F
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODES DO-214A
US1C-E3/61T VISHAY
VISHAYMAS DO214AC(S
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
2024/04/11
2024/10/16
2024/08/29
2024/11/15
US1BHR3GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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